A memória do OnePlus Ace 2V pode ser expandida?

Autor:Jiong Tempo:2023-03-01 10:45

Muitos amigos têm necessidade de expandir a memória ao usar seus celulares.Principalmente para aqueles usuários que não gostam muito de limpar o celular e relutam em deletar muitas coisas, mesmo que tenham uma memória maior, não haverá memória suficiente.Por esse motivo, muitos fabricantes de celulares lançaram a função de expansão de memória, que geralmente pode suportar expansão de memória de até 1 TB.Então, o OnePlus Ace 2V suporta expansão de memória?

A memória do OnePlus Ace 2V pode ser expandida?

O OnePlus Ace2V suporta expansão de memória?A memória do OnePlus Ace2V pode ser expandida?

A memória em execução pode ser expandida, mas a memória de armazenamento não pode ser expandida

OnePlus Ace 2V estará disponível em duas cores clássicas: black rock e celadon, mostrando um temperamento elegante e generoso com uma combinação de cores discretas e contidas.A cor rocha preta adota a mesma tecnologia de vidro de seda do carro-chefe, com uma textura fina fosca e não gruda nas impressões digitais; a cor do esmalte verde apresenta um brilho cerâmico e uma cor quente;OnePlus Ace 2V elimina o suporte de plástico da tela e o vidro da tela frontal é fixado diretamente na moldura intermediária, obtendo uma moldura extremamente estreita, melhores efeitos visuais e uma textura mais refinada de toda a máquina.Além disso, o clássico “interruptor de três posições” do OnePlus também é mantido no OnePlus Ace 2V. Os usuários podem alternar facilmente entre os modos de toque, vibração e silêncio girando o interruptor de três posições.

OnePlus Ace 2V pode expandir a memória em execução, mas não suporta memória de armazenamento expandida.No entanto, a especificação de memória mais baixa do OnePlus Ace 2V é de 256 GB. Se você tiver bons hábitos de armazenamento, é definitivamente suficiente para o uso diário.Embora a memória em execução possa ser expandida, o editor não suporta isso. Afinal, a expansão é memória virtual. Se o efeito não for bom, pode causar danos à memória de armazenamento.

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